什么是光刻机
光刻机（Mask Aligner） 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片外表清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
Photolithography（光刻）意思是用光来制造一个图形（工艺）；在硅片外表匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的进程将器件或电路结构暂时“仿制”到硅片上的进程。
光刻的目的
使外表具有疏水性，增强基底外表与光刻胶的黏附性。
光刻机作业原理
测量台、曝光台：承载硅片的作业台，也就是本次所说的双作业台。
光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。
能量操控器：操控终究照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。
光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。
遮光器：在不需求曝光的时候，阻挠光束照射到硅片。
能量探测器：检测光束终究入射能量是否契合曝光要求，并反馈给能量操控器进行调整。
掩模版：一块在内部刻着线路规划图的玻璃板，贵的要数十万美元。
掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动操控精度是nm级的。
物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按份额缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学差错。技能难度就在于物镜的规划难度大，精度的要求高。
硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需求在硅片上剪一个缺口来承认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。
内部关闭框架、减振器：将作业台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振荡干扰，并维持稳定的温度、压力。
光刻机分类
光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半主动、全主动。
A 手动：指的是对准的调理方法，是经过手调旋钮改动它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；
B 半主动：指的是对准能够经过电动轴根据CCD的进行定位调谐；
C 主动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是经进程序操控，主动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需求。
光刻机能够分为挨近接触式光刻、直写式光刻、以及投影式光刻三大类。挨近接触式经过无限靠近，仿制掩模板上的图画；投影式光刻选用投影物镜，将掩模板上的结构投影到基片外表；而直写，则将光束聚焦为一点，经过运动工件台或镜头扫描完成任意图形加工。光学投影式光刻凭借其高效率、无损伤的优点，一直是集成电路干流光刻技能。
光刻机应用
光刻机可广泛应用于微纳流控晶片加工、微纳光学元件、微纳光栅、ＮＭＥＭＳ器件等微纳结构器件的制备。
刻蚀机是什么
实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先经过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后经过其它方法完成腐蚀处理掉所需除掉的部分。跟着微制造工艺的开展；广义上来讲，刻蚀成了经过溶液、反响离子或其它机械方法来剥离、去除资料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
刻蚀机的原理
感应耦合等离子体刻蚀法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，简称ICPE）是化学进程和物理进程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定份额的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，鄙人电极的RF 射频作用下，这些等离子体对基片外表进行炮击，基片图形区域的半导体资料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。
刻蚀机和光刻机的差异
刻蚀相对光刻要容易。
光刻机把图画印上去，然后刻蚀机根据印上去的图画刻蚀掉有图画（或者没有图画）的部分，留下剩余的部分。
